IPB175N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB175N20NM6ATMA
IPB175N20NM6ATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ライフサイクル:
新製品:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥617.8 ¥618
¥404.5 ¥4,045
¥284.4 ¥28,440
¥241.7 ¥120,850
完全リール（1000の倍数で注文）
¥224.4 ¥224,400

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
200 V
61 A
15.5 mOhms
20 V
4.5 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
203 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
下降時間: 9.8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 23 ns
シリーズ: OptiMOS 6
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 23 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 12 ns
別の部品番号: IPB175N20NM6 SP006070078
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFETは、Nチャンネル通常レベルMOSFETで、PG-TO263-3、PG-TO220-3、PG-HDSOP-16パッケージでご用意があります。これらのMOSFETは、優れたゲート充電とRDS(on) の製品（FOM）、非常に低い逆回復充電（Qrr）、低オン抵抗RDS(on) が特徴です。OptiMOS™ 6 200V MOSFETは、175°Cで動作します。これらのMOSFETは、ハロゲンフリーでIEC61249-2-21に準拠し、J-STD-020規格の湿度感受性レベル（MSL1）等級に準拠しています。OptiMOS™ 6 200V MOSFETは、再生可能エネルギー、モーター制御、オーディオアンプ、産業用アプリケーションに最適です。

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