IPB339N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB339N20NM6ATMA
IPB339N20NM6ATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IFX FET >150 - 400V

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥646.2 ¥646
¥425 ¥4,250
¥300.2 ¥30,020
¥270.2 ¥135,100
完全リール（1000の倍数で注文）
¥252.8 ¥252,800

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
200 V
39 A
33.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
15.9 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: MY
拡散国: AT
原産国: AT
下降時間: 8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 7.3 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 14 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 15 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
別の部品番号: IPB339N20NM6 SP005562858
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6パワーMOSFETは、次世代の最先端のイノベーション、およびベストインクラスの性能を備えています。OptiMOS 6ファミリには、性能の大幅なメリットを実現できる薄型ウェハ技術が活用されています。代替製品と比較すると、OptiMOS 6パワーMOSFETは、30%のRDS（ON）を削減しており、同期整流用に最適化されています。

OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFETは、Nチャンネル通常レベルMOSFETで、PG-TO263-3、PG-TO220-3、PG-HDSOP-16パッケージでご用意があります。これらのMOSFETは、優れたゲート充電とRDS(on) の製品（FOM）、非常に低い逆回復充電（Qrr）、低オン抵抗RDS(on) が特徴です。OptiMOS™ 6 200V MOSFETは、175°Cで動作します。これらのMOSFETは、ハロゲンフリーでIEC61249-2-21に準拠し、J-STD-020規格の湿度感受性レベル（MSL1）等級に準拠しています。OptiMOS™ 6 200V MOSFETは、再生可能エネルギー、モーター制御、オーディオアンプ、産業用アプリケーションに最適です。

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