IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPD95R450PFD7ATM
IPD95R450PFD7ATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET LOW POWER_NEW

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 958

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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥436.1 ¥436
¥282.8 ¥2,828
¥194.3 ¥19,430
¥159.6 ¥79,800
¥149.8 ¥149,800
完全リール（2500の倍数で注文）
¥147.9 ¥369,750

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
13.3 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: DE
下降時間: 4.7 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8.7 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 45 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
別の部品番号: IPD95R450PFD7 SP005547015
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選択した属性: 0

データシート

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション（SJ）技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷（Qrr）が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。

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