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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

Name: Infineon IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH50NE2LM7ZCGA
Price: 439 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IQEH50NE2LM7ZCGA

メーカ番号：

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 データシート (PDF)

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在庫: 4,478

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数量	ユニット価格	合計額
	¥439.2	¥439
	¥301.8	¥3,018
	¥222.8	¥22,280
	¥191.2	¥95,600
	¥186.4	¥186,400
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥175.4	¥877,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	422 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	500 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	12 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.7 V
Qg - ゲート電荷:	29 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	5.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	100 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	2 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	35 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.9 ns
別の部品番号:	IQEH50NE2LM7ZCG SP005927096

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データシート

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET

Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能Nチャンネルトランジスタです。これらのMOSFETは、非常に低いオン抵抗、卓越した熱抵抗、dv/dtに対する堅牢性を高める優れたミラー比を提供します。OptiMOS™7 パワーMOSFETは、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジ、FOM_ossで最適化されています。これらのMOSFETは、アバランシェ耐性を100％テスト実施済みで、ROHSに準拠しています。OptiMOS™7パワーMOSFETは、IEC61249-2-21に準拠し、ハロゲンフリーです。

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.