IS42S16400N-6BLI

ISSI
870-IS42S16400N-6BLI
IS42S16400N-6BLI

メーカ：

詳細：
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

ライフサイクル:
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在庫: 668

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工場リードタイム：
16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大： 188
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥715.7 ¥716
¥666.8 ¥6,668
¥647.8 ¥16,195
¥632 ¥31,600
¥617.8 ¥61,780

製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
16 bit
166 MHz
BGA-54
4 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
ブランド: ISSI
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 348
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 80 mA
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選択した属性: 0

データシート

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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