IS42S32200N-6TL

ISSI
870-IS42S32200N-6TL
IS42S32200N-6TL

メーカ：

詳細：
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 209

在庫：
209 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大： 58
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥756.8 ¥757
¥704.7 ¥7,047
¥684.1 ¥17,103
¥668.3 ¥33,415

製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
ブランド: ISSI
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 108
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 70 mA
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。