IS42S32800J-6TLI

ISSI
870-42S32800J6TLI
IS42S32800J-6TLI

メーカ：

詳細：
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
8 M x 32
6.5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S32800J
ブランド: ISSI
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 108
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 190 mA
単位重量: 560 mg
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選択した属性: 0

データシート

Models

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JPHTS:
854232021
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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