IS43TR16128C-15HBL

Name: ISSI IS43TR16128C-15HBL
Brand: ISSI
SKU: 870-43TR16128C15HBL
Price: 1696 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

870-43TR16128C15HBL

メーカ番号：

IS43TR16128C-15HBL

メーカ：

ISSI

詳細：

DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V

データシート:

IS43TR16128C-15HBL データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ISSI
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR3
メモリサイズ:	2 Gbit
データバス幅:	16 bit
最高クロック周波数:	667 MHz
パッケージ/ケース:	BGA-96
編成:	128 M x 16
アクセス時間:	20 ns
供給電圧 - 最小:	1.425 V
供給電圧 - 最大:	1.575 V
最低動作温度:	0 C
最高動作温度:	+ 95 C
シリーズ:	IS43TR16128C
ブランド:	ISSI
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	190
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	134 mA
単位重量:	229 mg

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データシート

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or 256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.