ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC040N10NM7ATMA
ISC040N10NM7ATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ライフサイクル:
新製品:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥488.2 ¥488
¥314.4 ¥3,144
¥224.4 ¥22,440
¥188 ¥94,000
¥173.8 ¥173,800
¥164.3 ¥328,600
完全リール（5000の倍数で注文）
¥164.3 ¥821,500

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
130 A
4 mOhms
20 V
3.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
下降時間: 4.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 55 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 3.3 ns
工場パックの数量: 5000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 17.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9.4 ns
別の部品番号: ISC040N10NM7 SP006167253
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET

Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能Nチャンネルトランジスタです。これらのMOSFETは、非常に低いオン抵抗、卓越した熱抵抗、dv/dtに対する堅牢性を高める優れたミラー比を提供します。OptiMOS™7 パワーMOSFETは、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジ、FOMossで最適化されています。これらのMOSFETは、アバランシェ耐性を100％テスト実施済みで、ROHSに準拠しています。OptiMOS™7パワーMOSFETは、IEC61249-2-21に準拠し、ハロゲンフリーです。

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