KTDM4G3C818BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G3C818BGIEAT
KTDM4G3C818BGIEAT

メーカ：

詳細：
DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

データシート:
ECADモデル:
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¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,975 ¥1,975
¥1,834.4 ¥18,344
¥1,777.5 ¥44,438
¥1,734.8 ¥86,740
¥1,693.8 ¥169,380
¥1,636.9 ¥343,749
¥1,595.8 ¥670,236
¥1,556.3 ¥1,634,115
2,520 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
SMART
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
933 MHz
FBGA-78
512 M x 8
1.283 V
1.575 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
ブランド: SMARTsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 210
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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選択した属性: 0

データシート

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.

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