KTDM4G4B826BGCEAT

SMARTsemi
473-M4G4B826BGCEAT
KTDM4G4B826BGCEAT

メーカ：

詳細：
DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 188

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,725.4 ¥1,725
¥1,603.7 ¥16,037
¥1,554.7 ¥38,868
¥1,518.4 ¥75,920
¥1,480.5 ¥148,050
¥1,433.1 ¥300,951
¥1,396.7 ¥586,614
¥1,360.4 ¥1,428,420
2,520 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
SMART
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
8 bit
1.333 GHz
FBGA-78
512 M x 8
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
KTDM
Tray
ブランド: SMARTsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 210
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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選択した属性: 0

データシート

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

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