KTDM8G4B632BGCBCT

SMARTsemi
473-KTDM8G4B63BGCBCT
KTDM8G4B632BGCBCT

メーカ：

詳細：
DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
SMARTsemi KTDM8G4B632BGCBCTの詳細を読む

在庫状況

在庫：
0

この製品は入荷待ちとして購入することができます。

最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,164.6 ¥2,165
¥2,009.8 ¥20,098
¥1,948.1 ¥48,703
¥1,902.3 ¥95,115
¥1,854.9 ¥185,490
¥1,794.9 ¥448,725
¥1,749.1 ¥874,550
¥1,704.8 ¥1,704,800
2,500 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
SMART
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.6 GHz
FBGA-96
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
ブランド: SMARTsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: BR
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。