MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 112

在庫：
112 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
26 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
112を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,501 ¥1,501
¥1,109.2 ¥11,092
¥1,041.2 ¥26,030
¥930.6 ¥93,060
¥888 ¥222,000
¥878.5 ¥439,250
¥780.5 ¥780,500
2,500 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
特徴: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
入力電圧－最大: 15 V
入力電圧－最小: 3.3 V
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 225 mOhms
工場パックの数量: 1560
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
単位重量: 150 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバ

STMicroelectronics MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバには、高電力密度電源が実装されており、ハーフブリッジ構成でのゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタの両方が集積されています。統合パワーGaNは、150mΩのRDS (ON) および650Vドレイン・ソース破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。

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