MASTERGAN6TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN6TR
MASTERGAN6TR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,599 ¥1,599
¥1,235.6 ¥12,356
¥1,178.7 ¥29,468
完全リール（3000の倍数で注文）
¥1,178.7 ¥3,536,100
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-35
1 Output
9 V
18 V
4 ns
4 ns
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN6
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: SG
開発キット: EVLMG6
最長電源切断遅延時間: 70 ns
最長電源投入遅延時間: 70 ns
オフ時間 - 最大: 70 ns
Pd - 電力損失: 20 mW
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 105 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 140 mOhms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
単位重量: 194 mg
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選択した属性: 0

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MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバ

STMicroelectronics MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバには、高電力密度電源が実装されており、ハーフブリッジ構成でのゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタの両方が集積されています。統合パワーGaNは、150mΩのRDS (ON) および650Vドレイン・ソース破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。

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