MMBT5551W_R1_00701

Panjit
241-MMBT5551WR100701
MMBT5551W_R1_00701

メーカ:

詳細:
バイポーラトランジスタ - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

ECADモデル:
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在庫: 29,441

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工場リードタイム:
8 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥26.9 ¥27
¥16 ¥160
¥10 ¥1,000
¥7.3 ¥3,650
¥6.3 ¥6,300
完全リール(3000の倍数で注文)
¥5.1 ¥15,300
¥4.6 ¥27,600
¥3.8 ¥34,200
¥3.5 ¥84,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Panjit
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
NPN
Single
160 V
180 V
6 V
200 mV
200 mW
300 MHz
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Panjit
連続コレクタ電流: 600 mA
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 80 V at 10 mA, 5 V
DC 電流ゲイン hFE 最大値: 250 V at 10 mA, 5 V
製品タイプ: BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 5 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
854121000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.