MR2A08ACMA35

Name: Everspin Technologies MR2A08ACMA35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08ACMA35
Price: 6056 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

936-MR2A08ACMA35

メーカ番号：

MR2A08ACMA35

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:

MR2A08ACMA35 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Everspin Technologies MR2A08ACMA35の詳細を読む

在庫: 597

在庫：: 597 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 27 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥6,056.1	¥6,056
	¥5,602.7	¥56,027
	¥5,419.4	¥135,485
	¥5,285.1	¥264,255
	¥5,152.4	¥515,240
	¥4,755.8	¥1,188,950
	¥4,605.7	¥1,602,784
2,784	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
REACH - SVHC:
パッケージ/ケース:	BGA-48
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	4 Mbit
編成:	512 k x 8
データバス幅:	8 bit
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	30 mA, 90 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	MR2A08A
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	348
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Parallel I/O (x8)
単位重量:	3 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

MR2A08ACMA35 データシート (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8542320312
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.