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MSC031SMC120B4N

Name: Microchip MSC031SMC120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC031SMC120B4N
Price: 2259 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

579-MSC031SMC120B4N

メーカ番号：

MSC031SMC120B4N

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

MSC031SMC120B4N データシート (PDF)

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	¥2,259.4	¥2,259
	¥2,082.4	¥62,472
	¥1,812.3	¥217,476

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	72 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	42 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	70 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	326 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	Not Available
下降時間:	13 ns
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	18 ns

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ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFET

Microchip Technology 1200V SIC MOSFET は、より高効率で軽量、コンパクトなソリューションです。内部ゲート抵抗 (ESR) が低く、高速なスイッチングが可能です。MOSFETは駆動がシンプルで、簡単に並列接続できるようにも設計されています。熱特性の向上およびスイッチング損失が低減されています。