MSC080SMB120B4N

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Mouser 番号：

579-MSC080SMB120B4N

メーカ番号：

MSC080SMB120B4N

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

MSC080SMB120B4N データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
配送制限:	マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	107 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	34 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	161 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	8 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	8 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	MOSFET
標準電源切断遅延時間:	17 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns

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データシート

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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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