MWT-LN300

CML Micro
938-MWT-LN300
MWT-LN300

メーカ：

詳細：
RF MOSFETトランジスタ Low Noise pHEMT Devices

データシート:
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¥4,749.5 ¥142,485
¥4,659.4 ¥232,970
¥4,607.3 ¥460,730

製品属性 属性値 属性の選択
CML Micro
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
GaAs
120 mA
4 V
26 GHz
10 dB, 13 dB
16 dBm
+ 150 C
Die
Reel
ブランド: CML Micro
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: US
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 160 mS
Pd - 電力損失: 300 mW
製品タイプ: RF MOSFET Transistors
シリーズ: MWT
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: MOSFETs
トレードネーム: MWT-LN300
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選択した属性: 0

データシート

Other

JPHTS:
854121000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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