MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

メーカ：

詳細：
RF MOSFETトランジスタ Low Noise pHEMT Devices

データシート:
ECADモデル:
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¥5,008.6 ¥50,086
¥4,898 ¥146,940
¥4,680 ¥234,000
¥4,643.6 ¥1,160,900

製品属性 属性値 属性の選択
CML Micro
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
ブランド: CML Micro
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: US
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 300 mS
Pd - 電力損失: 500 mW
製品タイプ: RF MOSFET Transistors
シリーズ: MWT
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: MOSFETs
トレードネーム: MWT-LN600
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選択した属性: 0

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USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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