NSS1C301CTWG

onsemi
863-NSS1C301CTWG
NSS1C301CTWG

メーカ：

詳細：
バイポーラトランジスタ - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥235.4 ¥235
¥148.4 ¥1,484
¥113 ¥11,300
¥77.4 ¥38,700
¥70.6 ¥70,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥61.8 ¥185,400

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:  
LFPAK-4
NSS1C301CT
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
製品タイプ: BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ（onsemi）e2PowerEdge低V CE（sat）トランジスタは、超低飽和電圧（V CE（sat））および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント（電源管理）です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン（ベータ）によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

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