NTMFS0D6N03CT1G

onsemi
863-NTMFS0D6N03CT1G
NTMFS0D6N03CT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi NTMFS0D6N03CT1Gの詳細を読む

在庫: 4,329

在庫：
4,329 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
37 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥451.9 ¥452
¥293.9 ¥2,939
¥202.2 ¥20,220
¥167.5 ¥83,750
完全リール（1500の倍数で注文）
¥155.2 ¥232,800

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
30 V
433 A
620 uOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: MY
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTMFS0D6N03C
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャンネルパワーMOSFETは、小型フットプリントでコンパクト設計のMOSFETで、低RDS(on)と低容量が備わっています。低RDS(on)値は、伝導損失を最小限に抑えることに貢献します。低静電容量は、ドライバ損失を最小化します。これらのシングルNチャンネルパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～175°Cの動作温度範囲が特徴です。

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。