NTMFS6D2N08XT1G

Name: onsemi NTMFS6D2N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6D2N08XT1G
Price: 116 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

863-NTMFS6D2N08XT1G

メーカ番号：

NTMFS6D2N08XT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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NTMFS6D2N08XT1G データシート

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	73 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	19 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	68 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	MY
下降時間:	24 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	48 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	19 ns
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	15 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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選択した属性: 0

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NTMFS6D2N08XT1G データシート

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

低電圧から中電圧のT10 MOSFET

onsemi 低電圧から中電圧のT10 MOSFETは、40Vと80Vのカテゴリに分類されるシングルNチャネルPower MOSFETです。性能の改善、システム効率の向上、高い電力密度を実現しています。これらのパワーMOSFETは、導通損失を低減する低R_DS（on）特性と、ドライバ損失を抑える低容量特性を備えています。T10低／中電圧MOSFETは、低Q_RR特性とソフトリカバリ特性を備えたボディダイオードを提供します。これらのMOSFETは、RoHS準拠、鉛フリー/ハロゲンフリー/BFRフリーです。代表的なアプリケーションは、DC/DCおよびAC/DCコンバータの同期整流 (SR)、絶縁型DC/DCコンバータの一次側（メインスイッチ）、バッテリ保護、モータ・ドライブなどです。