NVMFWS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D3N04XMT1G
Price: 361 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-VMFWS1D3N04XMT1G

メーカ番号：

NVMFWS1D3N04XMT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

ライフサイクル:

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NVMFWS1D3N04XMT1G データシート

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在庫: 5,787

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	¥126.4	¥63,200
	¥114.4	¥114,400
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥114.4	¥171,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFNW-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	195 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	38.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	90 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	MY
下降時間:	5.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	105 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6.2 ns
シリーズ:	NVMFWS1D3N04XM
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	30.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19.1 ns

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データシート

NVMFWS1D3N04XMT1G データシート

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低R_DS（ON）、低Q_G 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。