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PJD45N15S-AU_L2_006A1

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Mouser 番号：

241-PJD45N15SAUL26A1

メーカ番号：

PJD45N15S-AU_L2_006A1

メーカ：

Panjit

詳細：

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

PJD45N15S-AU_L2_006A1 データシート (PDF)

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配送制限:

マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	MOSFET
配送制限:	マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252AA-2
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	36 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	100 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Panjit
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	31 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	31 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	24 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	PJD45N15S
単位重量:	321.700 mg

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データシート

PJD45N15S-AU_L2_006A1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V N-Channel Automotive MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs optimized to have good Figure of Merit (FOM) and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive. These enhancement-mode automotive MOSFETs operate from 18A to 65A continuous drain current and are AEC-Q101 qualified devices. The 150V N-channel MOSFETs operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. These N-channel MOSFETs feature green molding compounds that are compliant with the IEC 61249 standard and EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management System (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supply (SMPS) SR.

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.