PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Panjit
241-PJP125N06SAAU6A1
PJP125N06SA-AU_T0_006A1

メーカ：

詳細：
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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Panjit PJP125N06SA-AU_T0_006A1の詳細を読む

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥425 ¥425
¥210.1 ¥2,101
¥188 ¥18,800
¥151.4 ¥75,700
¥142.2 ¥142,200

製品属性 属性値 属性の選択
Panjit
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
215 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
ブランド: Panjit
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 37 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 26 ns
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 66 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
単位重量: 2.095 g
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

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