PSMN1R9-40YSBX

Name: Nexperia PSMN1R9-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-40YSBX
Price: 319 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

771-PSMN1R9-40YSBX

メーカ番号：

PSMN1R9-40YSBX

メーカ：

Nexperia

詳細：

MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A

データシート:

PSMN1R9-40YSBX データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Nexperia PSMN1R9-40YSBXの詳細を読む

在庫: 1,945

在庫：: 1,945 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 53 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

1945を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥319.2	¥319
	¥203.8	¥2,038
	¥137.5	¥13,750
	¥110.4	¥55,200
	¥100.6	¥100,600
	¥92.6	¥138,900

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	Power-SO8-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	200 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	56 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	194 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Nexperia
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	13 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
標準電源切断遅延時間:	33 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	934665891115

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMC最適化NextPowerS3 MOSFET

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3MOSFET は、高効率で省スペースの LFPAK56パッケージに収められています。これらのMOSFETは、アバランシェ定格です。NextPowerS3 MOSFETは、175°Cの最大接合部温度に対応しています。これらのMOSFETは、EU RoHS準拠です。NextPowerS3 MOSFETは、+260°Cのピークはんだ付け温度および-55°C ～ +175°Cの保存温度範囲を備えています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータとブラシレスDCモータ制御があります。