PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1

Name: Panjit PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMQC060N06LS1AU
Price: 278 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

241-PSMQC060N06LS1AU

メーカ番号：

PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1

メーカ：

Panjit

詳細：

MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting

データシート:

PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥278.1	¥278
	¥189.6	¥1,896
	¥132.9	¥13,290
	¥108.5	¥54,250
	¥106.2	¥106,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥106.2	¥318,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5060-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	68 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	19 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	50 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Panjit
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	33 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	85 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	65 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	31 ns
別の部品番号:	PSMQC060N06LS1-AU
単位重量:	0.080 mg

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データシート

PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.