QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 189 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-QH8ME5TCR

メーカ番号：

QH8ME5TCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

データシート:

QH8ME5TCR データシート

ECADモデル:

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完全リール（3000の倍数で注文）
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	¥46.8	¥280,800

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSMT-8
トランジスタ極性:	N-Channel, P-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	2.8 nC, 19.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TH
下降時間:	5 ns, 48 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	1.3 S, 3.2 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns, 7 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel, 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	15 ns, 105 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns, 7.3 ns

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ECCN:: EAR99

QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFET

ROHM Semiconductor QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFETは、40V、60V、または100V耐電圧に対応しています。このシリーズは、ファクトリーオートメーション機器などの24V入力機器、および基地局（冷却ファン）に取り付けられたモーターを対象に設計されています。QH8Kは、従来のROHM製品に比べて58%削減を実現している低オン抵抗Nch MOSFETで構成されています。これによって、部品の低電力消費がもたらされます。これらのMOSFETは、小型の表面実装TSMT8パッケージに収められており、8端子と無鉛メッキが施されています。ROHM Semiconductor QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFETは、スイッチングおよびモータ駆動アプリケーションに最適です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。