RD3N03BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3N03BATTL1
RD3N03BATTL1

メーカ：

詳細：
MOSFET TO252 P-CH 80V 30A

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1の詳細を読む

在庫: 1,983

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2,500
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥353.9 ¥354
¥227.5 ¥2,275
¥154.5 ¥15,450
¥123.4 ¥61,700
¥116.8 ¥116,800
完全リール（2500の倍数で注文）
¥111.1 ¥277,750

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
80 V
30 A
64 mOhms
20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 69 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 13.4 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 225 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 15 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

小信号デュアルチャンネルMOSFET

ROHM Semiconductor 小信号デュアルチャネルMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチングを特長としています。これらのMOSFETはRoHSに準拠しており、無鉛メッキが施されています。デュアルチャンネルMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲で動作します。これらのMOSFETは、モータドライブおよびスイッチングアプリケーションで使用されます。

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