RRR030P03HZGTL

Name: ROHM Semiconductor RRR030P03HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRR030P03HZGTL
Price: 158 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RRR030P03HZGTL

メーカ番号：

RRR030P03HZGTL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T

データシート:

RRR030P03HZGTL データシート

ECADモデル:

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	¥44.9	¥44,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥38.6	¥115,800
	¥36.2	¥217,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-346T-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	75 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	5.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TH
下降時間:	35 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	2.4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
別の部品番号:	RRR030P03HZG
単位重量:	12 mg

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選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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データシート

RRR030P03HZGTL データシート

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RRR0x0P03HZG小信号車載MOSFET

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