RRR040P03HZGTL

Name: ROHM Semiconductor RRR040P03HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRR040P03HZGTL
Price: 205 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RRR040P03HZGTL

メーカ番号：

RRR040P03HZGTL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T

データシート:

RRR040P03HZGTL データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor RRR040P03HZGTLの詳細を読む

在庫: 4,122

在庫：: 4,122 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 16 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥205.4	¥205
	¥126.1	¥1,261
	¥83.3	¥8,330
	¥64.9	¥32,450
	¥58.9	¥58,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥50.6	¥151,800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-346T-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	45 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	10.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TH
下降時間:	45 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	2.7 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	30 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	85 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	RRR040P03HZG
単位重量:	12 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

ドキュメントの絞り込み:

データシート

RRR040P03HZGTL データシート

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RRR0x0P03HZG小信号車載MOSFET

ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Small Signal 車載用MOSFETは、低オン抵抗を実現したMOSFETです。G-S保護ダイオードを内蔵しています。これらのMOSFETは、-30Vのドレイン・ソース間電圧 (V_DSS) および1Wの電力損失 (P_D) が特長です。RRR030P03HZG MOSFETは±3Aのドレイン電流 (直流) (I_D)、およびRRR040P03HZG MOSFETは±4AのI_D が特長です。これらのMOSFETは、AEC-Q101に準拠しており、無鉛めっきを施してあります。ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG MOSFETは、小型面実装 (TSMT3) パッケージを採用しており、DC/DCコンバータに最適です。