SBR1045SD1-T

Name: Diodes Incorporated SBR1045SD1-T
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR1045SD1-T
Price: 113 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

621-SBR1045SD1-T

メーカ番号：

SBR1045SD1-T

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

ショットキーダイオードおよび整流器 10A SBR 45V VRRM 32V Vr 10A 180 IFSM

データシート:

SBR1045SD1-T データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 3,055

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	¥53.1	¥26,550
完全リール（1200の倍数で注文）
	¥39.5	¥47,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	ショットキーダイオードおよび整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
製品:	Schottky Rectifiers
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	DO-201AD-2
構成:	Single
技術:	Si
If - 順電流（Forward Current）:	10 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	45 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	500 mV
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	180 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	50 uA
最低動作温度:	- 65 C
最高動作温度:	+ 150 C
シリーズ:	SBR1045
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diodes Incorporated
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
製品タイプ:	Schottky Diodes & Rectifiers
工場パックの数量:	1200
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	32 V
単位重量:	1.200 g

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データシート

SBR1045SD1-T データシート (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

車載用スーパーバリア整流器

Diodes Incorporated車載用スーパーバリア整流器（SBR）は、優れたアバランシェ機能を実現できる特許取得済のスーパーバリアテクノロジーを活用して設計されています。これらのSBR整流器には、低順方向電圧降下があり、車載アプリケーションに最適です。車載用SBRダイオードは、高い信頼性を発揮するAEC-Q101規格に認定されているとともに、無鉛仕上げになっています。これらのSBR整流器は、1A～30A順方向電流範囲および500mV～0.7V順方向電圧範囲で使用できます。

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.