SCS212AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS212AGC17
SCS212AGC17

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen

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NRND:
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データシート:
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合計 額:
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¥565.6 ¥5,656
¥518.2 ¥51,820
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製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
12 A
650 V
1.55 V
43 A
240 uA
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
Pd - 電力損失: 93 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
別の部品番号: SCS212AG
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

TO-220ACG SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor TO-220ACGシリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、650V～1200Vの逆方向電圧範囲および1.2µA～20.0µAの連続逆方向電流範囲が特徴です。また、SiCテクノロジーの活用によって低静電容量性電荷（QCを維持できるため、高速スイッチング動作に対応しながらスイッチング損失の低減を実現します。さらに、温度の上昇とともに逆方向回復に要する時間（リカバリ時間）も長くなるSiバンド高速リカバリダイオードとは異なり、SiCは一貫した特性を維持するため良好な性能をもたらします。

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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