SCS215AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS215AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS215AGC17
Price: 1155 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-SCS215AGC17

メーカ番号：

SCS215AGC17

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen

ライフサイクル:

NRND:

新デザインには推奨しません。

データシート:

SCS215AGC17 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor SCS215AGC17の詳細を読む

在庫: 6,417

在庫：: 6,417 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 21 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

6417を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,155	¥1,155
	¥674.7	¥6,747
	¥565.6	¥56,560

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220ACG-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	15 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.55 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	52 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	300 uA
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	ROHM Semiconductor
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
Pd - 電力損失:	110 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
別の部品番号:	SCS215AG

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SCS215AGC17 データシート (PDF)

Specification Sheets

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
詳細

TO-220ACG SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor TO-220ACGシリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、650V～1200Vの逆方向電圧範囲および1.2µA～20.0µAの連続逆方向電流範囲が特徴です。また、SiCテクノロジーの活用によって低静電容量性電荷（Q_Cを維持できるため、高速スイッチング動作に対応しながらスイッチング損失の低減を実現します。さらに、温度の上昇とともに逆方向回復に要する時間（リカバリ時間）も長くなるSiバンド高速リカバリダイオードとは異なり、SiCは一貫した特性を維持するため良好な性能をもたらします。