SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT025W120G3-4AG
SCT025W120G3-4AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,204.2 ¥3,204
¥2,042.9 ¥20,429
¥1,853.3 ¥185,330
¥1,758.5 ¥1,055,100

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
37 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
388 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 18 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 5.7 ns
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 16.4 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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