SCT4026DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DRC15
SCT4026DRC15

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC

データシート:
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合計 額
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¥1,968.7 ¥19,687

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
56 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
176 W
Enhancement
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: US
下降時間: 13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
パッケージ化: Tube
製品: MOSFET's
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 22 ns
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 45 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9.5 ns
別の部品番号: SCT4026DR
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データシート

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

750V NチャンネルSiC MOSFET

ローム株式会社（ROHM Semiconductor）750V NチャンネルSiC MOSFETは、スイッチング周波数をブーストできるため、コンデンサ、リアクタ、およびその他の必要なコンポーネントの量を削減できます。これらのSiC MOSFETは、TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA、TO-247-4Lパッケージでご用意があります。これらのデバイスは、静的ドレイン・ソース間オン状態抵抗 RDS(on) の標準値が13mΩ〜65mΩ、そして連続ドレイン電流（ID）およびソース電流（IS）（TC = 25°C）が22A〜120Aです。これらのROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETには、高耐電圧、低on抵抗、高速スイッチング特性が備わっており、SiC技術の独自の属性が活用されています。

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