SCT4045DRHRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DRHRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DRHRC15
Price: 1801 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-SCT4045DRHRC15

メーカ番号：

SCT4045DRHRC15

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC

データシート:

SCT4045DRHRC15 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	34 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	59 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	63 nC
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	115 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TH
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	9.3 S
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFET's
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	27 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.1 ns
別の部品番号:	SCT4045DRHR

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

第4世代NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor第4世代Nチャンネル・シリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFETは、短絡耐性時間の改善によって低on抵抗を実現しています。第4世代SiC MOSFETは、並列接続が容易で駆動が簡単です。MOSFETは、高速スイッチング速度/逆回復、低スイッチング損失、175°Cの最高動作温度が特徴です。ROHM第4世代NチャンネルSSiCパワーMOSFETは、デバイスの省電力に貢献する15Vゲート-ソース電圧に対応しています。

AEC-Q101 SiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCパワーMOSFETは、車載用およびスイッチモード電源に最適です。SiCパワーMOSFETは、ブースト・スイッチング周波数に使用でき、コンデンサ、リアクタ、その他の必要になるコンポーネントの量を減少します。AEC-Q101 SiCパワーMOSFETは、車載用のインバータやDC-DCコンバータなど、さまざまな駆動システムにおいて優れた小型化と軽量化を実現できます。

750V NチャンネルSiC MOSFET

ローム株式会社（ROHM Semiconductor）750V NチャンネルSiC MOSFETは、スイッチング周波数をブーストできるため、コンデンサ、リアクタ、およびその他の必要なコンポーネントの量を削減できます。これらのSiC MOSFETは、TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA、TO-247-4Lパッケージでご用意があります。これらのデバイスは、静的ドレイン・ソース間オン状態抵抗 R_DS(on) の標準値が13mΩ〜65mΩ、そして連続ドレイン電流（I_D）およびソース電流（I_S）（T_C = 25°C）が22A〜120Aです。これらのROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETには、高耐電圧、低on抵抗、高速スイッチング特性が備わっており、SiC技術の独自の属性が活用されています。