SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics
511-SCTW40N120G2VAG
SCTW40N120G2VAG

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詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
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¥1,685.9 ¥16,859
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
36 A
100 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.9 V
61 nC
- 55 C
+ 200 C
278 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
組立国: IT
拡散国: Not Available
原産国: IT
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
単位重量: 4.500 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

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