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SIZ340DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZ340DT-T1-GE3
Price: 227 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIZ340DT-T1-GE3

メーカ番号：

SIZ340DT-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

データシート:

SIZ340DT-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 968

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥227.5	¥228
	¥143.3	¥1,433
	¥95.3	¥9,530
	¥83	¥41,500
	¥67.9	¥67,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥60	¥180,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAIR-3x3-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A, 40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9.5 mOhms, 5.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 16 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	19 nC, 35 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	16.7 W, 31 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Dual
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
下降時間:	7 ns, 7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	37 S, 60 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	55 ns, 82 ns
シリーズ:	SIZ
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	16 ns, 20 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns, 22 ns
単位重量:	143.050 mg

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選択した属性: 0

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データシート

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Models

PCN

Product Change Notification 2024-01-09 (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

統合MOSFETソリューション

Vishay統合MOSFETソリューションは、コンポーネントが単一モノシリック・チップに組み合わされており、電力密度の増大、効率性の向上、設計の簡素化、部品表（BOM）コストの削減を実現できます。また、これらのシングルおよびマルチダイMOSFETには、ショットキー・バリア・ダイオードとESD保護といった機能が統合されています。これらのMOSFETは、低オン抵抗NチャンネルおよびPチャンネルTrenchFET^®技術と低熱抵抗が特徴です。

PowerPAIR®デュアルMOSFET

Vishay PowerPAIR^®デュアルMOSFETは、MOSFETの最適化された組合せが1つのコンパクト・パッケージに組み合わされています。同梱PowerPAIRデュアルMOSFETのおかげで使用するスペースが少なくて済みます。個別ディスクリート全体での性能向上を実現できます。2つのMOSFETが既にPowerPAIRパッケージの内側に接続されており、簡単にレイアウトできます。また、PCBトレースからの寄生容量が低減され、効率性が強化されています。