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SQJ459EP-T2_BE3

Name: Vishay SQJ459EP-T2_BE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ459EP-T2_BE3
Price: 287 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SQJ459EP-T2_BE3

メーカ番号：

SQJ459EP-T2_BE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

データシート:

SQJ459EP-T2_BE3 データシート

ECADモデル:

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Vishay / Siliconix SQJ459EP-T2_BE3の詳細を読む

在庫: 68,230

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥287.6	¥288
	¥183.3	¥1,833
	¥123.2	¥12,320
	¥97.5	¥48,750
	¥89.4	¥89,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥83.4	¥250,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

SQJ459EP-T2_GE3

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥288

最低:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-SO-8-4
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	52 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	18 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	73 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	83 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
下降時間:	45 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	19 ns
シリーズ:	SQJ
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	88 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	SQJ459EP-T2_GE3
単位重量:	750 mg

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選択した属性: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number with the GE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further 
assistance 
5-0321-10

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SQJ459EP-T2_BE3 データシート

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ車載用MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ車載用MOSFETは、TrenchFET^®Gen IV Nチャンネル40V_DSパワーMOSFETです。これらのAEC-Q101規格に適合したこれらのMOSFETは、100%のRgおよびUIS(クランプされていない誘導性スイッチング)テストを実施し、スイッチング特性を最適化する1未満のQgd/Qgs比を実現しています。SQJ車載用MOSFETは、非常に低いRDS(on)を提供し、-55℃から175℃の温度範囲で動作します。これらの車載グレードMOSFETは、シングル/デュアル構成のPowerPAK^® SO-8Lパッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、エンジン管理、モータドライブとアクチュエータ、バッテリ管理があります。