STGWA50M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGWA50M65DF2AG
STGWA50M65DF2AG

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IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
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¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥925.9 ¥926
¥644.6 ¥6,446
¥466.1 ¥46,610
¥431.3 ¥258,780

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
- 20 V, 20 V
HB2
AEC-Q100
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.100 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT

STMicroelectronics 60V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発しています。650V Mシリーズは最大100kHzの動作周波数を備えたアプリケーション用に、3A～150Aの最大コレクター電流を供給します。設計が最適化されており、カスタマイズされた内蔵の抗並列ダイオードでご利用いただけます。
詳細

650V IHシリーズIGBT

STMicroelectronics 650V IHシリーズは、誘導加熱システムとソフトスイッチング・アプリケーションを対象に高効率のIGBTを実現しています。IGBTは、STPOWER™ファミリに属しています。これは現在、誘導加熱アプリケーションに使用されているHBシリーズを超えています。650V IHシリーズを使用すると、非常に低いターンオフ・エネルギーと組み合わされたさらなる低VCE(sat)のおかげで、最終アプリケーションでの効率性の向上を確保できます。TO-247ロングリードパッケージでは40Aと50Aのデバイスが利用できるようになっています。また、20Aと30Aのデバイスも開発中です。

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