STI28N60M2

Name: STMicroelectronics STI28N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI28N60M2
Price: 526 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STI28N60M2

メーカ番号：

STI28N60M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	22 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	135 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	36 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	170 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	8 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.2 ns
シリーズ:	STI28N60M2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	100 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14.5 ns
単位重量:	1.460 g

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

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