STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
あなたの設計を完成させましょう

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
STMicroelectronics STP65N045M9の詳細を読む

在庫: 415

在庫：
415 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,276.6 ¥1,277
¥709.4 ¥7,094
¥652.5 ¥65,250
¥644.6 ¥322,300

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: MDmesh M9
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Other

PCN

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

STP65N045M9 MDmesh M9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9パワーMOSFETは、領域ごとに非常に低いRDS(on)を特徴とする中/高電圧MOSFETを対象に設計されています。このデバイスには、革新的なスーパージャンクションMDmesh M9技術が実装されており、強化されたデバイス構造が可能になるマルチドレイン製造プロセスが備わっています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。