T2G6000528-Q3

Name: Qorvo T2G6000528-Q3
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6000528-Q3
Price: 16315 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

772-T2G6000528-Q3

メーカ番号：

T2G6000528-Q3

メーカ：

Qorvo

詳細：

GaN FET DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

データシート:

T2G6000528-Q3 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Qorvo
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	NI-200
トランジスタ極性:	N-Channel
Id - 連続ドレイン電流:	650 mA
Pd - 電力損失:	12.5 W
ブランド:	Qorvo
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	US
開発キット:	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
ゲイン:	15 dB
最高動作周波数:	6 GHz
最小動作周波数:	0 Hz
水分感度:	Yes
出力電力:	10 W
パッケージ化:	Tray
製品タイプ:	GaN FETs
シリーズ:	T2G6000528
工場パックの数量:	100
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	HEMT
別の部品番号:	T2G6000528 1099997
単位重量:	7.396 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaNトランジスタRF

Qorvo QPD GaN RFトランジスタは、マクロセル高効率システム用の基地局パワーアンプの最終段階であるDohertyアーキテクチャで使用されます。これらのGaNトランジスタは、単一段整合パワーアンプ・トランジスタが搭載されたSiC HEMT上のディスクリートGaNです。一般的なアプリケーションには、W-CDMA/LTE、マクロセル基地局、アクティブアンテナ、汎用アプリケーションがあります。

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.