UF3C065030B3

onsemi
431-UF3C065030B3
UF3C065030B3

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263

ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,732 ¥3,732
¥2,700.2 ¥27,002
¥2,671.8 ¥1,335,900
完全リール（800の倍数で注文）
¥2,521.7 ¥2,017,360

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 15 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 16 ns
シリーズ: UF3C
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 57 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 32 ns
単位重量: 3 g
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選択した属性: 0

データシート

Models

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FET (D2-PAKパッケージ内）

Qorvo UF3C SiC FETは、D2-PAK-3LおよびD2-PAK-7L表面実装パッケージに収められており、独自のカスケード回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。カスケード回路構成では、通常on SiC JFETは、Si MOSFETとコパッケージされており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。これらのSiC FETには、低ボディダイオード、低ゲート電荷、0V ～15V駆動が可能になる4.8V閾値電圧が備わっています。これらのD2-PAK SiC FETデバイスはESD保護されており、パッケージの沿面距離と >6.1mmのクリアランス距離を実現しています。FETのスタンダードのゲート駆動特性は、Si IGBT、シリコンFET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションのドロップイン置換品です。1,200Vおよび650Vドレイン－ソース間破壊電圧バリアントでご用意があり、テレコムとサーバ電力、産業用電源、モータドライブ、誘導加熱といった任意の制御環境での使用に最適です。

UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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