UF3C120080B7S

Name: onsemi UF3C120080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120080B7S
Price: 2839 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

431-UF3C120080B7S

メーカ番号：

UF3C120080B7S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

データシート:

UF3C120080B7S データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi UF3C120080B7Sの詳細を読む

在庫: 722

在庫：: 722 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 22 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥2,839.3	¥2,839
	¥2,020.8	¥20,208
	¥1,905.5	¥190,550
	¥1,889.7	¥944,850
完全リール（800の倍数で注文）
	¥1,779.1	¥1,423,280

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	28.8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	85 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	23 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	190 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SiC FET
ブランド:	onsemi
コンプライアンス:	Done
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	9 ns, 8 ns
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	7 ns, 6 ns
シリーズ:	UF3C
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	31 ns, 33 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

UF3C120080B7S データシート

PCN

Product Change Notification (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FET (D2-PAKパッケージ内）

Qorvo UF3C SiC FETは、D2-PAK-3LおよびD2-PAK-7L表面実装パッケージに収められており、独自のカスケード回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。カスケード回路構成では、通常on SiC JFETは、Si MOSFETとコパッケージされており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。これらのSiC FETには、低ボディダイオード、低ゲート電荷、0V ～15V駆動が可能になる4.8V閾値電圧が備わっています。これらのD2-PAK SiC FETデバイスはESD保護されており、パッケージの沿面距離と >6.1mmのクリアランス距離を実現しています。FETのスタンダードのゲート駆動特性は、Si IGBT、シリコンFET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションのドロップイン置換品です。1,200Vおよび650Vドレイン－ソース間破壊電圧バリアントでご用意があり、テレコムとサーバ電力、産業用電源、モータドライブ、誘導加熱といった任意の制御環境での使用に最適です。

UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.