UF3SC065007K4S

Name: onsemi UF3SC065007K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065007K4S
Price: 11559 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

431-UF3SC065007K4S

メーカ番号：

UF3SC065007K4S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4

データシート:

UF3SC065007K4S データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi UF3SC065007K4Sの詳細を読む

在庫: 245

在庫：: 245 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 31 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

245を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥11,559.3	¥11,559
	¥8,966.5	¥89,665

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 12 V, + 12 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	214 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	789 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	SiC FET
ブランド:	onsemi
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	14 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	46 ns
シリーズ:	UF3SC
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	72 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	36 ns
単位重量:	6 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

UF3SC065007K4S データシート

Models

UF3SC065007K4S SPICE (テキスト)

PCN

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650Vと1200V高性能SiC FET

onsemi UF3SC 650Vおよび1200V高性能SiC FETは、7mΩ～45mΩの低RDS（on）を持つシリコンカーバイドデバイスで、高速スイッチングと低スイッチング損失を実現します。これらのデバイスは、独自のカスコード回路構成に基づいており、超低ゲート電荷を示します。カスコード構成では、ノーマリーオンのSiC JFETをシリコンMOSFETと同梱包し、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを生成します。 UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクション・デバイスの「ドロップイン置き換え」を可能にする標準的なゲートドライブ特性を備えています。オンセミのUF3SC FETは、-55°C～+175°Cの温度範囲と、-20V～+20Vのゲート・ソース電圧範囲で動作します。これらのSiC FETは、電気自動車（EV）充電、太陽光発電（PV）インバータ、モータドライブ、スイッチモード電源、力率改善（PFC）モジュール、誘導加熱に最適です。オンセミのUF3SC SiC FETは、TO-247-3LおよびTO-247-4Lパッケージで提供され、高速スイッチングとクリーンなゲート波形を実現します。