X2-Class IXYS MOSFET

結果: 72
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
データシート
60在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
データシート
238在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
データシート
179在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
データシート
42在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
データシート
350在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
データシート
95在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
データシート
109在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
データシート
206在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
データシート
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-268HV
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-247
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Tube
IXYS MOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Tube
IXYS MOSFET TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 350
複数： 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTY4N65X2 TRL
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel
IXYS MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube