PowerSaver 半導体

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結果: 182
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 480
複数: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 480
複数: 480


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 480
複数: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v 2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v 3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 312
複数: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1
最大: 200
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,000

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 348
複数: 348